Simulation of III-V UTB SB-MOSFETs using tight-binding band-structure calculations

최호원 ; 이재현 ; et al.

한국반도체학술대회, 2014

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Titel:	Simulation of III-V UTB SB-MOSFETs using tight-binding band-structure calculations
Autor/in / Beteiligte Person:	최호원 ; 이재현 ; 이여름 ; 신민철
Link:	View record in BASE (Volltext)
Veröffentlichung:	한국반도체학술대회, 2014
Medientyp:	Konferenz
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Korean Collection: Korea Advanced Institute of Science and Technology: KOASAS - KAIST Open Access Self-Archiving System Document Type: conference object Language: Korean

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