Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference

Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.

In: SOLID STATE ELECTRONICS 51(4):611-616; Jg. 51 (2007) 4, S. 611-616

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Titel:	Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
Autor/in / Beteiligte Person:	Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; Brown, A. R. ; Roy, S. ; Asenov, A.
Link:	View record from ScienceDirect (Volltext) http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN064174597&indx=1&recIds=ETOCCN064174597
Quelle:	SOLID STATE ELECTRONICS 51(4):611-616; Jg. 51 (2007) 4, S. 611-616
Veröffentlichung:	2007
Medientyp:	Konferenz
ISSN:	0038-1101 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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