A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation

Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.

In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66

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Titel:	A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
Autor/in / Beteiligte Person:	Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; Ricoma, M. ; Martinez, F. ; Pascal, F. ; Miranda, E. ; Faynot, O. ; Iniguez, B.
Link:	View record from ScienceDirect (Volltext) http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCRN289094396&indx=1&recIds=ETOCRN289094396
Zeitschrift:	SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
Veröffentlichung:	2011
Medientyp:	serialPeriodical
ISSN:	0038-1101 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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