An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
In: IEEE JOURNAL- ELECTRON DEVICES SOCIETY, Jg. 5 (2017), Heft 5, S. 335-339
serialPeriodical
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Titel: |
An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
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Autor/in / Beteiligte Person: | Islam, M. M. ; Alam, M. N. ; Sarker, M. S. ; Islam, M. R. ; Haque, A. |
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Zeitschrift: | IEEE JOURNAL- ELECTRON DEVICES SOCIETY, Jg. 5 (2017), Heft 5, S. 335-339 |
Veröffentlichung: | 2017 |
Medientyp: | serialPeriodical |
ISSN: | 2168-6734 (print) |
Sonstiges: |
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