Influence of laser radiation on photoluminescence of CdTe

MEDVID, A ; LITOVCHENKO, V. G ; et al.

In: Proceedings of the International Symposium on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation - LUMDETR 2000Radiation measurements 33(5):725-730; Jg. 33 (2001) 5, S. 725-730

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cc2In the present study, we propose a new model for the process of generation of laser donor centres (LDC) and the creation of a potential barrier by laser radiation (LR) in semiconductors. According to this model the Thermogradient effect, created by hot electrons, has the main role in the interaction process of LR and semiconductors. The state of the CdTe(C1)-SiO2 interface under the influence of strongly absorbed powerful YAG : Nd laser irradiation has been studied. Such a state has been defined by measuring the current voltage characteristics (CVC) in the external perpendicular magnetic field, the so-called magnetoconcentration effect, and photoluminescence method at low temperature. The rectifying type of CVC in the external magnetic field are explained by the high surface recombination velocity at the interface. After laser irradiation of this structure the rectification factor increases with an increase in irradiation intensity, starting from I = 0.2 MW/cm2. This phenomenon is explained by the rise of the potential barrier at the interface owing to the generation of LD centres in the temperature gradient. The influence of LR on the luminescence spectra has shown that at a threshold intensity of LR I = 0.2 MW/cm2generation of donor type A-centres begins.

Titel:	Influence of laser radiation on photoluminescence of CdTe
Autor/in / Beteiligte Person:	MEDVID, A ; LITOVCHENKO, V. G ; KORBUTJAK, D ; KRILYUK, S. G ; FEDORENKO, L. L ; HATANAKA, Y
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Quelle:	Proceedings of the International Symposium on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation - LUMDETR 2000Radiation measurements 33(5):725-730; Jg. 33 (2001) 5, S. 725-730
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier, 2001
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, Illustration, 25 ref
ISSN:	1350-4487 (print)
Schlagwort:	Geology Géologie Nuclear physics Physique nucléaire Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Terre, ocean, espace Earth, ocean, space Sciences de la terre Earth sciences Géochimie isotopique. Géochronologie Isotope geochemistry. Geochronology Géochronologie Geochronology Absorption absorption Absorción Basse température low temperature Baja temperatura Cadmium cadmium Cadmio Champ magnétique magnetic field Campo magnético Electron electrons Electrón Intensité intensity Intensidad Irradiation irradiation Irradiación Luminescence luminescence Luminiscencia Méthode laser laser methods Laser Rayonnement radiation Radiación Tellurure tellurides Telururo Vitesse velocity Velocidad Gradient température Photoluminescence
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Laboratory of Semiconductors Physics, Riga Technical University, 14 Azenes Str., 1048, Riga, Latvia ; Institute of Semiconductors Physics, 45, Prospect Nauki, Kyiv, Ukraine ; Shizuoka University, 3-5-1 Johoku Hamamatsu 432-8011, Japan Rights: Copyright 2001 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Earth sciences

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