The kinetics of destruction of molecular complexes adsorbed on a porous silicon surface by electron-beam irradiation at different densities

KOSTISHKO, B. M ; NAGORNOV, Yu. S

In: Proceedings of the International Conference on Modification of Properties of Surface Layers of Non-Semiconducting Materials using Particle Beams 2001 (MPSL 2001), 27-30 August 2001, Feodosiya, UkraineVacuum 68(3):245-249; Jg. 68 (2002) 3, S. 245-249

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The influence of the electron-beam density on molecular complex desorption kinetics, and accordingly, on the degree of the porous silicon photoluminescence quenching, is investigated. It is shown that charging of the surface and a decrease of its adsorption ability with respect to the donor molecular groups occur for a density of electron beam of more than 5.5 × 1013 cm-2 s-1.

Titel:	The kinetics of destruction of molecular complexes adsorbed on a porous silicon surface by electron-beam irradiation at different densities
Autor/in / Beteiligte Person:	KOSTISHKO, B. M ; NAGORNOV, Yu. S
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Quelle:	Proceedings of the International Conference on Modification of Properties of Surface Layers of Non-Semiconducting Materials using Particle Beams 2001 (MPSL 2001), 27-30 August 2001, Feodosiya, UkraineVacuum 68(3):245-249; Jg. 68 (2002) 3, S. 245-249
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier, 2002
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 14 ref
ISSN:	0042-207X (print)
Schlagwort:	Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Physics Physique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Photoluminescence Semiconducteurs élémentaires Elemental semiconductors Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Traitements de surface Surface treatments Surface cleaning, etching, patterning Non métal Nonmetals Cinétique Kinetics Densité flux Flux density Défaut surface Surface defect Defecto superficie Désorption Desorption Effet physique rayonnement Physical radiation effects Etude expérimentale Experimental study Faisceau électron Electron beams Matériau poreux Porous materials Nettoyage surface Surface cleaning Semiconducteur Semiconductor materials Silicium Silicon Traitement surface Si Irradiation Photoluminescence and chemisorption Porous silicon
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Physics, Ulyanovsk State University, L. Tolstogo St. 42, 432700 Ulyanovsk, Russian Federation Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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