Anisotropically etched Si surface and the electrical properties of Si/HgCdTe heterostructures

GORBACH, T. Ya ; KUZMA, M ; et al.

In: Proceedings of Symposium J on Growth and Evolution of Ultra Thin Films: Surface and Interface Geometric & Electronic Structure, of the E-MRS 2002 Spring Conference, Strasbourg, France, June 18-21, 2002Thin solid films 428(1-2):165-169; Jg. 428 (2003) 1-2, S. 165-169

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We used (001)-oriented silicon wafers, chemically etched under special conditions, as substrates for laser epitaxy of HgCdTe. Three types of Si surface with different microrelief were obtained: flat, pyramid-like and plate-like. Thin films of HgCdTe were deposited using a YAG:Nd3+ laser. The electrical properties of the structures under investigation were analysed on the basis of current-voltage characteristics. These characteristics are interpreted in relation to the structural properties of the Si substrate surface. The carrier transport mechanisms for different HgCdTe/Si interfaces are presented.

Titel:	Anisotropically etched Si surface and the electrical properties of Si/HgCdTe heterostructures
Autor/in / Beteiligte Person:	GORBACH, T. Ya ; KUZMA, M ; SMERTENKO, P. S ; SVECHNIKOV, S. V ; WISZ, G
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Quelle:	Proceedings of Symposium J on Growth and Evolution of Ultra Thin Films: Surface and Interface Geometric & Electronic Structure, of the E-MRS 2002 Spring Conference, Strasbourg, France, June 18-21, 2002Thin solid films 428(1-2):165-169; Jg. 428 (2003) 1-2, S. 165-169
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2003
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 22 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Structure électronique et propriétés électriques des surfaces, interfaces, couches minces et structures de basse dimensionnalité Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Etats électroniques et excitations collectives dans les couches minces, multicouches, puits quantiques, nanostructures et systèmes mésoscopiques Electron states and collective excitations in thin films, multilayers, quantum wells, mesoscopic and nanoscale systems Couches minces et multicouches Thin films and multilayers Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt par faisceau laser Laser deposition Traitements de surface Surface treatments Multilayers Surface cleaning, etching, patterning Composé minéral Inorganic compounds Métal transition composé Transition element compounds Non métal Nonmetals Tellurure Tellurides Attaque chimique Chemical etching Ataque químico Cadmium tellurure Cadmium tellurides Caractéristique courant tension IV characteristic Conductivité électrique Electrical conductivity Couche mince Thin films Couche épitaxique Epitaxial layers Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Dépôt laser pulsé Pulsed laser deposition Etude expérimentale Experimental study Hétérostructure Heterostructures Mercure tellurure Mercury tellurides Porteur minoritaire Minority carriers Prétraitement Pretreatment Pretratamiento Relation structure propriété Property structure relationship Relación estructura propiedad Semiconducteur II-VI II-VI semiconductors Semiconducteur Semiconductor materials Silicium Silicon Substrat Substrates Traitement surface Cd Hg Te HgCdTe Substrat Si HgCdTe/Si heterostructure I-V characteristics Patterned Si surface
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Prospect Nauki 45, Kiev, 03028, Ukraine ; Institute of Physics, Rzeszów University, Rejtana 16a, 35-309 Rzeszów, Poland Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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