Porous silicon upon multicrystalline silicon : Structure and photoluminiscence : Photovoltaic materials and phenoma

MELNICHENKO, M. M ; SVEZHENTSOVA, K. V ; et al.

In: Journal of materials science 40(6):1409-1412; Jg. 40 (2005) 6, S. 1409-1412

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Ultrathin porous silicon layers have been stain-etched upon multicrystalline silicon (multi-Si) substrates. We studied optical and structural properties of porous silicon by photoluminescence, photo-luminescence excitation, reflection, atomic force microscopy and scanning tunnel microscopy methods. It was observed that the thickness of porous silicon did not exceed 20 nm. The photoluminescence method has shown that photoluminescence spectra of porous silicon of different grains have shown that they differ insignificantly (∼10%) in intensity. It was found that por-Si layers with optimal antireflection characteristics was obtained during etching time 7 min. In the paper the comparison of the reflection characteristics of investigated samples por-Si with industrial antireflection coating is presented.

Titel:	Porous silicon upon multicrystalline silicon : Structure and photoluminiscence : Photovoltaic materials and phenoma
Autor/in / Beteiligte Person:	MELNICHENKO, M. M ; SVEZHENTSOVA, K. V ; SHMYRYEVA, A. N
Link:	Full Text Finder (Volltext) View record from PASCAL Archive
Quelle:	Journal of materials science 40(6):1409-1412; Jg. 40 (2005) 6, S. 1409-1412
Veröffentlichung:	Heidelberg: Springer, 2005
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0022-2461 (print)
Schlagwort:	Chemical industry parachemical industry Industrie chimique et parachimique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Polymers, paint and wood industries Polymères, industries des peintures et bois Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Structure et morphologie de couches minces Thin film structure and morphology Structure et morphologie; épaisseur Structure and morphology; thickness Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Propriétés optiques des couches minces Optical properties of specific thin films Semiconducteurs élémentaires et isolants Elemental semiconductors and insulators Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Traitements de surface Surface treatments Surface cleaning, etching, patterning Non métal Nonmetals Analyse structurale Structural analysis Análisis estructural Attaque chimique Chemical etching Ataque químico Couche ultramince Ultrathin films Etude expérimentale Experimental study Matériau poreux Porous materials Microscopie force atomique Atomic force microscopy Microscopie tunnel balayage Scanning tunneling microscopy Morphologie Morphology Photoluminescence Propriété optique Optical properties Semiconducteur Semiconductor materials Silicium Silicon Traitement surface Multi-Si Por-Si Si
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department for Physics, Taras Shevchenko University, vul. Volodymyrska 64, 03033, Kyiv, Ukraine ; National Technical University of Ukraine KPI, Research Institute of Applied Electronics, Prosp. Peremogy, 37, Kyiv, 03056, Ukraine Rights: Copyright 2005 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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