Einzeltreffer — DigiBib

In this letter, the random dopant fluctuation effect in ultrathin-body (UTB) fully depleted/silicon-on-insulator (FD/SOI) devices is analyzed. We show that due to larger variability and asymmetry in threshold voltage Vt distribution, it will be difficult to use UTB FD/SOI devices for sub-50-nm static random access memory (SRAM) design. Using thinner buried oxide (BOX) FD/SOI devices, the asymmetry in the Vt spread can be reduced. We present a viable concept of FD/SOI SRAM and predict that a thin-BOX device is the optimal FD/SOI structure for SRAM in sub-50-nm technology nodes.

Titel:	Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
Autor/in / Beteiligte Person:	MUKHOPADHYAY, Saibal ; KIM, Keunwoo ; XINLIN, WANG ; FRANK, David J ; OLDIGES, Philip ; CHUANG, Ching-Te ; ROY, Kaushik
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 284-287
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2006
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 17 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Couche appauvrissement Depletion layer Capa empobrecimiento Couche ultramince Ultrathin films Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Mémoire accès direct statique Static random access memory Mémoire accès direct Random access memory Memoria acceso directo Seuil tension Voltage threshold Umbral tensión Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Fully depleted silicon-on-insulator (SOI) leakage performance random dopant fluctuations (RDFs) stability static random access memory (SRAM)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, United States ; IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, United States Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.

Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design