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Interdiffusion in periodic Sc/Si multilayers with W-based diffusion markers was studied by cross-section transmission electron microscopy and small angle X-ray diffractometry (SAXD). Formation of amorphous ScSi silicide was observed as a result of solid-state amorphization taking place in the Sc/Si multilayers in the 210-250°C temperature range. The diffusion-governed growth behavior of the amorphous silicide was revealed. The diffusion marker analysis was applied to determine a ratio of intrinsic diffusion coefficients of scandium and silicon. The diffusion-induced shift of the diffusion markers was measured by SAXD with accuracy better than 0.2nm. It was determined that the intrinsic diffusion coefficient of Si in amorphous silicide was twenty times higher than the one of Sc.

Titel:	Study of fast diffusion species in Sc/Si multilayers by W-based marker analysis
Autor/in / Beteiligte Person:	VORONOV, D. L ; ZUBAREV, E. N ; KONDRATENKO, V. V ; PERSHIN, Yu. P ; SEVRYUKOVA, V. A ; BUGAYEV, Ye. A
Link:	View record from ScienceDirect (Volltext) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Thin solid films, Jg. 513 (2006), Heft 1-2, S. 152-158
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 18 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Propriétés de transport (non électroniques) Transport properties of condensed matter (nonelectronic) Diffusion dans les solides Diffusion in solids Interdiffusion chimique, barrières de diffusion Chemical interdiffusion; diffusion barriers Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Depôt par pulvérisation cathodique Deposition by sputtering Traitement des matériaux et son effet sur la microstructure et les propriétés Treatment of materials and its effects on microstructure and properties Ecrouissage, durcissement par déformation; recuit, trempe, revenu, restauration et recristallisation; textures Cold working, work hardening; annealing, quenching, tempering, recovery, and recrystallization; textures Composé minéral Inorganic compounds Métal transition Transition elements Amorphisation Amorphization Bicouche Bilayers Coefficient diffusion Diffusion coefficient Coeficiente difusión Couche mince Thin films Coupe transversale Cross section Corte transverso Diffraction RX XRD Diffusion mutuelle Interdiffusion Difusión mútua Dépendance température Temperature dependence Etude expérimentale Experimental study Magnétron Magnetrons Microscopie électronique transmission Transmission electron microscopy Multicouche Multilayers Mécanisme croissance Growth mechanism Mecanismo crecimiento Pulvérisation cathodique Cathode sputtering Recuit thermique Thermal annealing Recocido térmico Scandium Semiconducteur Semiconductor materials Silicium Silicon Sélection assistée marqueur Marker assisted selection Selección asistida marcador 6630N 8115C 8140E Sc Si Diffusion marker analysis Multilayer X-ray mirrors Small angle X-ray diffractometry Solid state amorphization
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: National Technical University Kharkov Polytechnic Institute, Kharkov, Ukraine Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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Study of fast diffusion species in Sc/Si multilayers by W-based marker analysis