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InSb is known to have the highest electron mobility among all III-V binary compounds, and is thus considered as a candidate channel material for future nanoscale FET devices. In this paper, two-dimensional bandstructures of (100) oriented InSb ultrathin bodies are calculated using an atomistic approach based on the sp3d5s* tight-binding model. Key parameters, including energy bandgap, density of states, and carrier effective masses, are extracted from bandstructures obtained numerically. These parameters can further be used as inputs for channel mobility simulation.

Titel:	Atomistic approach to thickness-dependent bandstructure calculation of InSb UTB
Autor/in / Beteiligte Person:	XIMENG, GUAN ; ZHIPING, YU
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2007
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 8 ref
ISSN:	1536-125X (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjets Optics Optique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Matériaux Materials Approximation liaison forte Tight binding approximation Aproximación ligadura fuerte Canal transistor Transistor channel Composé III-V III-V compound Compuesto III-V Couche ultramince Ultrathin films Densité énergie Energy density Densidad energía Densité état Density of states Densidad estado Effet dimensionnel Size effect Efecto dimensional Epaisseur Thickness Espesor Indium antimoniure Indium antimonides Masse effective Effective mass Masa efectiva Mobilité porteur charge Charge carrier mobility Movilidad portador carga Mobilité électron Electron mobility Movilidad electrón Modèle 2 dimensions Two dimensional model Modelo 2 dimensiones Nanomatériau Nanostructured materials Structure bande Band structure Estructura banda In Sb InSb Bandstructure carrier mobility density of states (DOS) effective mass indium antimonide (InSb) ultrathin body (UTB)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Atomistic approach to thickness-dependent bandstructure calculation of InSb UTB