Depth redistribution of components of SiOx layers prepared by magnetron sputtering in the process of their decomposition

KHOMENKOVA, L ; KORSUNSKA, N ; et al.

In: Thin solid films, Jg. 515 (2007), Heft 17, S. 6749-6753

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The process of thermal decomposition of SiOx layers prepared by magnetron co-sputtering of Si and SiO2 on Si and quartz substrates is studied by Auger and secondary ion mass spectroscopies. It is found that high temperature annealing of the layers causes a Si-depleted region near the layer/substrate interface. It is shown that the formation of this region does not depend on the type of substrate but depends on the content of excess Si and is observed at high content of excess Si. When the excess Si content decreases, the Si-depleted region at first smears and then disappears. The mechanism of SiOx decomposition and possible reasons for the appearance of the Si-depleted region are discussed.

Titel:	Depth redistribution of components of SiOx layers prepared by magnetron sputtering in the process of their decomposition
Autor/in / Beteiligte Person:	KHOMENKOVA, L ; KORSUNSKA, N ; STARA, T ; YE, VENGER ; SADA, C ; TRAVE, E ; GOLDSTEIN, Y ; JEDRZEJEWSKI, J ; SAVIR, E
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Zeitschrift:	Thin solid films, Jg. 515 (2007), Heft 17, S. 6749-6753
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2007
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 15 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Nanomatériaux et nanostructures : fabrication et caractèrisation Nanoscale materials and structures: fabrication and characterization Divers Other topics in nanoscale materials and structures Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Depôt par pulvérisation cathodique Deposition by sputtering Composé minéral Inorganic compounds Couche mince Thin films Décomposition thermique Thermal decomposition Descomposición térmica Dépôt physique phase vapeur Physical vapor deposition Interface Interfaces Nanomatériau Nanostructured materials Nanoparticule Nanoparticles Plan expérience Experimental design Pulvérisation cathodique Cathode sputtering Recuit thermique Thermal annealing Recocido térmico Silicium oxyde Silicon oxides 8115C Si SiO2 SiOx Substrat Si Substrat quartz SiOx films; Si nanoparticles; Thermal decomposition Time: 8107
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Semiconductor Physics at National Academy of Sciences of Ukraine, 45 Prospect Nauky, Kyiv 03028, Ukraine ; INFM and Physical Department, University of Padua, 8 via Marzolo, Padua 35131, Italy ; Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem 91904, Israel Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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