Einzeltreffer — DigiBib

-MOSFETs of both polarities with PtSi-based Schottky-barrier source/drain (S/D) have been fabricated in ultrathin-body Si-on-insulator. The PtSi is formed in the S/D regions without lateral silicide growth under the gate spacers. This design leads to a 30-nm underlap between the PtSi-Si contacts and the gate edges resulting in low drive currents. Despite the underlap, excellent performance is achieved for both types of MOSFETs with large drive currents and low leakage by means of dopant segregation through As and B implantation into the PtSi followed by drive-in annealing at low temperatures.

Titel:	SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
Autor/in / Beteiligte Person:	ZHEN, ZHANG ; ZHIJUN, QIU ; HELLSTRÖM, Per-Erik ; MALM, Gunnar ; OLSSON, Jörgen ; JUN, LU ; OSTLING, Mikael ; ZHANG, Shi-Li
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Barrière Schottky Schottky barrier Barrera Schottky Cale espacement Spacer Calce espaciamiento Couche ultramince Ultrathin films Croissance latérale Lateral growth Crecimiento lateral Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Hauteur barrière Barrier height Altura barrera Ségrégation impureté Impurity segregation Segregación impureza Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Température recuit Annealing temperature Temperatura recocido Transistor MOSFET MOSFET Dopant segregation (DS) MOSFETs Schottky-barrier lowering Schottky-barrier source/drain (SB-S/D) platinum silicide ultrathin-body Si-on-insulator (UTB-SOI)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: School of Information and Communication Technology, Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden ; State Key Laboratory of ASIC and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China ; Ångström Laboratory, Uppsala University, 751 21 Uppsala, Sweden Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation