Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting

WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; et al.

In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142

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Multi-gate FinFETs and ultra-thin silicon body SOI FETs are considered as perfect candidates for future technology nodes. Strong size quantization leads to a formation of quasi-two-dimensional subbands in carrier systems within thin silicon films. The employed Hensel-Hasegawa-Nakayama k.p Hamiltonian accurately describes the bulk structure up to the energies of 0.5-0.8 eV and includes a shear strain component. Shear strain is responsible for effective mass modification and is therefore an important source of the electron mobility enhancement in ultra-thin silicon films. The influence of shear strain on the subband structure in thin silicon films is investigated.

Titel:	Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
Autor/in / Beteiligte Person:	WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; BAUMGARTNER, Oskar ; SELBERHERR, Siegfried
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Zeitschrift:	Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2010
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Couche mince Thin film Capa fina Couche ultramince Ultrathin films Effet quantique Quantum effect Efecto cuántico Hamiltonien Hamiltonian Hamiltoniano Masse effective Effective mass Masa efectiva Mobilité électron Electron mobility Movilidad electrón Modèle 2 dimensions Two dimensional model Modelo 2 dimensiones Silicium Silicon Silicio Sous bande Subband Subbanda Technologie autoalignée Self aligned technology Tecnología rejilla autoalineada Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Transistor effet champ Field effect transistor Transistor efecto campo Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble Subband structure UTB SOI FET éHensel-Hasegawa-Nakayama k.p model
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute for Microelectronics, TU Wien, Gusshausstrasse 27-29, 1040 Wien, Austria Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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