Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs

SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.

In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551

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The subthreshold conduction regime in short-channel recessed source/drain (ReS/D) ultra-thin body (UTB) silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs is studied. A physics-based model for the subthreshold slope of ReS/D UTB SOI MOSFETs is developed, based on an analytical solution of 2-D Poisson's equation for the front-gate and back-gate potential distributions. In order to verify the accuracy of the model, the calculated subthreshold slope values are compared with the results obtained by Medici 2-D numerical device simulator over a wide range of different device structures, and very good agreement is obtained down to channel lengths of sub-30 nm. The model is given in explicit form without any fitting parameters and requires no iterative calculation, thus making it ideally suitable for fast prediction and evaluation of device design criteria for optimal scaling of the ReS/D UTB SOI MOSFETs.

Titel:	Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; SULIGOJ, T
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Zeitschrift:	Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2010
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 23 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Canal court Short channel Canal corto Couche ultramince Ultrathin films Distribution potentiel Potential distribution Distribución potencial Equation Poisson Poisson equation Ecuación Poisson Modèle 2 dimensions Two dimensional model Modelo 2 dimensiones Méthode analytique Analytical method Método analítico Méthode itérative Iterative method Método iterativo Simulateur Simulator Simulador Solution analytique Analytical solution Solución analítica Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Recessed source/drain SO] Short-channel effects Subthreshold slope Two-dimensional (2-D) Poisson's equation silicon-on-insulator
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Marine Electronics and Communications, Faculty of Maritime Studies, University of Rijeka, Studentska ulica 2, 51000 Rijeka, Croatia ; Department of Electronics, Microelectronics, Computing and Intelligent Systems, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, Croatia ; ECTM-DIMES, Delft University of Technology, Netherlands Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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