A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation

LIME, F ; RITZENTHALER, R ; et al.

In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66

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In this paper, a new compact charge based DC model for the drain current of long channel fully depleted ultra-thin body SOI MOSFETs and asymmetric double-gate MOSFETs with independent gate operation (ADGMOSFETs) is presented. The model was validated by both TCAD simulations and electrical measurements with a good agreement. In particular, great care was taken during the derivation of the model in order to respect the physics of the device and to make the correct approximations. The obtained solutions can be viewed as a generalization of classical MOS theory to the case of undoped fully depleted ADGMOS. As a result, the model consists of relatively simple equations and is a promising approach for the compact modeling and parameter extraction of fully depleted SOI transistors.

Titel:	A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
Autor/in / Beteiligte Person:	LIME, F ; RITZENTHALER, R ; RICOMA, M ; MARTINEZ, F ; PASCAL, F ; MIRANDA, E ; FAYNOT, O ; INIGUEZ, B
Link:	View record from ScienceDirect (Volltext) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 20 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Canal long Long channel Canal largo Conception assistée Computer aided design Concepción asistida Conception circuit Circuit design Diseño circuito Conception compacte Compact design Concepción compacta Couche appauvrissement Depletion layer Capa empobrecimiento Couche ultramince Ultrathin films Courant drain Drain current Corriente dren Extraction paramètre Parameter extraction Extracción parámetro Mesure électrique Electrical measurement Medida eléctrica Modélisation Modeling Modelización Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble ADGMOSFET Compact modeling FD SOI SOI UTB SOI MOSFET
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Departament d'Enginyeria Electrònica I Automàtica, Universitat Rovira I Virgili (URV), 43007 Tarragona, Spain ; Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), 08193 Bellaterra, Cerdanyola del Vallès, Spain ; Institut d'Electronique du Sud (IES), Université de Montpellier 2, UMR CNRS 5214, 34095 Montpellier, France ; LETI-CEA, 17 rue des martyrs, 38054 Grenoble, France Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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