Einzeltreffer — DigiBib

This paper analyzes and models the drain-induced barrier lowering (DIBL) for ultrathin silicon body and ultrathin silicon body and thin buried oxide (UTBB) SOI MOSFETs. The channel depth appears as the primary factor in controlling DIBL when the substrate is in accumulation or inversion, whereas space-charge thickness in the substrate is the dominant parameter when the substrate is depleted. Under substrate depletion condition, UTBB devices lose their low DIBL features due to the increased coupling through the effective insulating layer underneath the transistor channel. The proposed model extending MASTAR equations is in agreement with experimental DIBL.

Titel:	Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	KHAIRUDDIN, Mohd ; RASKIN, Jean-Pierre ; KILCHYTSKA, Valeriya ; ANDRIEU, Francois ; SCHEIBLIN, Pascal ; FAYNOT, O ; FLANDRE, Denis
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0018-9383 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Canal transistor Transistor channel Charge espace Space charge Carga espacio Couche appauvrissement Depletion layer Capa empobrecimiento Couche enterrée Buried layer Capa enterrada Couche oxyde Oxide layer Capa óxido Couche ultramince Ultrathin films Modélisation Modeling Modelización Silicium Silicon Silicio Technologie MOS MOS technology Tecnología MOS Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Effet DIBL DIBL effect Channel depth MASTAR model drain-induced barrier lowering (DIBL) fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) MOSFETs substrate depletion depth (TSub) substrate/buried oxide (BOX) interface space-charge condition ultrathin silicon body (UTB) ultrathin silicon body and thin buried oxide (UTBB)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: School of Microelectronic Engineering, Universiti Malaysia Perlis, 01000 Kangar, Malaysia ; Université catholique de Louvain (UCL), 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium ; CEA-Leti, MINATEC 17, 38054 Grenoble, France Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs