Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach

CHOU, Shao-Heng ; FAN, Ming-Long ; et al.

In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489

academicJournal - print, 28 ref

Using a novel Voronoi method that can provide a more realistic representation of metal-gate granularity, we investigate and compare the impact of work-function variation (WFV) on FinFET and ultrathin body (UTB) silicon-on-insulator (SOI) devices. Our study indicates that, for a given electrostatic integrity and total effective gate area, the FinFET device exhibits better immunity to WFV than its UTB SOI counterpart. We further show that, unlike other sources of random variation, the WFV cannot be suppressed by equivalent oxide thickness scaling.

Titel:	Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
Autor/in / Beteiligte Person:	CHOU, Shao-Heng ; FAN, Ming-Long ; PIN, SU
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Zeitschrift:	I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 28 ref
ISSN:	0018-9383 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Structure électronique et propriétés électriques des surfaces, interfaces, couches minces et structures de basse dimensionnalité Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Doubles couches superficielles, barrières de schottky et travail de sortie Surface double layers, schottky barriers, and work functions Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Couche oxyde Oxide layer Capa óxido Couche ultramince Ultrathin films Epaisseur Thickness Espesor Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Technologie MOS MOS technology Tecnología MOS Technologie autoalignée Self aligned technology Tecnología rejilla autoalineada Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble Travail sortie Work function Función de trabajo FinFET Voronoi ultrathin body silicon-on-insulator MOSFET variability work-function variation (WFV) Time: 7330
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2014 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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