2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs

SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander

In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77

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A 2D closed-form, analytical compact current model for long and short-channel Schottky barrier (SB) Multi-Gate MOSFETs is presented. The physics-based two-dimensional model for the electrostatic potential and electric field of a ultra-thin body (UTB) MOSFET is derived with the help of Poisson's equation and the conformal mapping technique by Schwarz-Christoffel. Furthermore, simple closed-form current equations were derived by using analytical expressions for the tunneling and thermionic currents. Essential 2D effects on the currents are included in the model which are combined with diffusion effects in the channel region. A comparison of our 2D physics-based compact model is done versus measurement data for a dopant segregated fully-depleted Schottky barrier MOSFET.

Titel:	2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
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Zeitschrift:	Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2014
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 43 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Application conforme Conformal mapping Barrière Schottky Schottky barrier Barrera Schottky Canal court Short channel Canal corto Canal long Long channel Canal largo Champ électrique Electric field Campo eléctrico Conception compacte Compact design Concepción compacta Couche ultramince Ultrathin films Effet tunnel Tunnel effect Efecto túnel Equation Poisson Poisson equation Ecuación Poisson Equation forme close Closed form equation Ecuación forma cerrada Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Modèle 2 dimensions Two dimensional model Modelo 2 dimensiones Modélisation Modeling Modelización Méthode analytique Analytical method Método analítico Potentiel électrostatique Electrostatic potential Potencial electrostático Ségrégation impureté Impurity segregation Segregación impureza Technologie MOS MOS technology Tecnología MOS Transistor MOSFET MOSFET Transistor effet champ barrière Schottky Metal semiconductor field effect transistor Transistor efecto campo barrera Schottky 2D Closed-form Compact modeling Dopant segregation Ultra-thin body (UTB) MOSFET
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Robert Bosch GmbH, Tübinger Strasse 123, 72762 Reutlingen, Germany ; Technische Hochschule Mittelhessen, Competence Center for Nanotechnology and Photonics, Wiesenstrasse 14, Giessen 35390, Germany Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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