Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices

Mishra, N.V. ; Medury, A.S.

In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-06-01), Heft 2, S. 225-232

academicJournal

Titel:	Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
Autor/in / Beteiligte Person:	Mishra, N.V. ; Medury, A.S.
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-06-01), Heft 2, S. 225-232
Veröffentlichung:	2024
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1530-4388 (print) ; 1558-2574 (print)
DOI:	10.1109/TDMR.2024.3366592
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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