Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI pMOSFET

Du, Gang ; liu, Xiaoyan ; et al.

In: 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings; Jg. 2 (2004) S. 995-998

Konferenz

Titel:	Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI pMOSFET
Autor/in / Beteiligte Person:	Du, Gang ; liu, Xiaoyan ; Xia, Zhiliang ; han, Ruqi
Quelle:	7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings; Jg. 2 (2004) S. 995-998
Veröffentlichung:	2004
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	0-7803-8511-X (print) ; 978-0-7803-8511-5 (print)
DOI:	10.1109/ICSICT.2004.1436673
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library Relation: 2004 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings

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