Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate

Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.

In: International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA); (2017-04-01) S. 1-2

Konferenz

Titel:	Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate
Autor/in / Beteiligte Person:	Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; Ishii, Hiroyuki ; Hattori, Hiroyuki ; Ota, Hiroyuki ; Uchida, Noriyuki ; Maeda, Tatsuro
Quelle:	International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA); (2017-04-01) S. 1-2
Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-5090-5805-1 (print)
DOI:	10.1109/VLSI-TSA.2017.7942482
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.