First experimental observation of channel thickness scaling (down to 3 nm) induced mobility enhancement in UTB GeOI nMOSFETs

Chang, W. H. ; Irisawa, T. ; et al.

In: Symposium on VLSI Technology; (2017-06-01) S. 2

Konferenz

Titel:	First experimental observation of channel thickness scaling (down to 3 nm) induced mobility enhancement in UTB GeOI nMOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	Chang, W. H. ; Irisawa, T. ; Ishii, H. ; Hattori, H. ; Ota, H. ; Takagi, H. ; Kurashima, Y. ; Uchida, N. ; Maeda, T.
Quelle:	Symposium on VLSI Technology; (2017-06-01) S. 2
Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-4-86348-605-8 (print)
ISSN:	2158-9682 (print)
DOI:	10.23919/VLSIT.2017.7998167
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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