Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
academicJournal
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Titel: |
Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
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Autor/in / Beteiligte Person: | Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; Pirro, L. ; Hoentschel, J. ; Schmitz, J. |
Zeitschrift: | IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502 |
Veröffentlichung: | 2021 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0018-9383 (print) ; 1557-9646 (print) |
DOI: | 10.1109/TED.2020.3043223 |
Sonstiges: |
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