Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
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academicJournal
Titel: |
Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
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Autor/in / Beteiligte Person: | Samsudin, K. ; Cheng, B. ; Brown, A.R. ; Roy, S. ; Asenov, A. |
Link: | |
Zeitschrift: | Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667 |
Veröffentlichung: | 2006 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0038-1101 (electronic) |
DOI: | 10.1016/j.sse.2006.03.019 |
Sonstiges: |
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