Channel thickness scaling induced electron mobility enhancement in UTB-GeOI / チャネル膜厚スケーリングによるUTB-GeOI中の電子移動度の向上

Hattori, H. ; Ishii, H. ; et al.

2017

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Titel:	Channel thickness scaling induced electron mobility enhancement in UTB-GeOI / チャネル膜厚スケーリングによるUTB-GeOI中の電子移動度の向上
Autor/in / Beteiligte Person:	Hattori, H. ; Ishii, H. ; Ota, H. ; Takagi, H. ; Uchida, N. ; Irisawa, T. ; Maeda, T. ; WENHSIN, CHANG ; Kurashima, Y. ; 優一, 倉島 ; 寿史, 入沢 ; 紀行, 内田 ; 辰郎, 前田 ; 裕之, 太田 ; 文馨, 張 ; 浩之, 服部 ; 裕之, 石井 ; 秀樹, 高木
Link:	View record in JSTAGE (Volltext)
Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	2436-7613 (print)
DOI:	10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2976
Sonstiges:	Nachgewiesen in: J-STAGE Sprachen: Japanese

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