(111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現

Proposal of subband engineering in InAs-OI nMOSFETs by channel thickness scaling of (111)-oriented channel and fabrication of UTB (111) InAs-OI substrates

2021

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Titel:	(111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現
Verantwortlichkeitsangabe:	Proposal of subband engineering in InAs-OI nMOSFETs by channel thickness scaling of (111)-oriented channel and fabrication of UTB (111) InAs-OI substrates
Autor/in / Beteiligte Person:	Toprasertpong, Kasidit ; Sumita, Kei ; Takenaka, Mitsuru ; Yoshizu, Ryohei ; Takagi, Shinichi ; カシディット, トープラサートポン ; 遼平, 吉津 ; 充, 竹中 ; 圭, 隅田 ; 信一, 高木
Link:	View record in JSTAGE (Volltext)
Veröffentlichung:	2021
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	2436-7613 (print)
DOI:	10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2364
Sonstiges:	Nachgewiesen in: J-STAGE Sprachen: Japanese

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