몬테카를로 시뮬레이션 방법을 이용한 5nm 이하 UTB SOI n-MOSFET의 반전채널층 내에서 전자전송특성 연구 / Analysis of Electron Transport Characteristics using Monte Carlo Method in Ultra-thin-body Silicon-on-Insulator n-MOSFETs with SOI Thickness less than 5nm
2007
Hochschulschrift
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몬테카를로 시뮬레이션 방법을 이용한 5nm 이하 UTB SOI n-MOSFET의 반전채널층 내에서 전자전송특성 연구 / Analysis of Electron Transport Characteristics using Monte Carlo Method in Ultra-thin-body Silicon-on-Insulator n-MOSFETs with SOI Thickness less than 5nm
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Autor/in / Beteiligte Person: | 이용선 / Lee, Yong-seon |
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Veröffentlichung: | 2007 |
Medientyp: | Hochschulschrift |
Sonstiges: |
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