몬테카를로 시뮬레이션 방법을 이용한 5nm 이하 UTB SOI n-MOSFET의 반전채널층 내에서 전자전송특성 연구 / Analysis of Electron Transport Characteristics using Monte Carlo Method in Ultra-thin-body Silicon-on-Insulator n-MOSFETs with SOI Thickness less than 5nm

이용선 / Lee, Yong-seon

2007

Hochschulschrift

Titel:	몬테카를로 시뮬레이션 방법을 이용한 5nm 이하 UTB SOI n-MOSFET의 반전채널층 내에서 전자전송특성 연구 / Analysis of Electron Transport Characteristics using Monte Carlo Method in Ultra-thin-body Silicon-on-Insulator n-MOSFETs with SOI Thickness less than 5nm
Autor/in / Beteiligte Person:	이용선 / Lee, Yong-seon
Link:	http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000408512
Veröffentlichung:	2007
Medientyp:	Hochschulschrift
Sonstiges:	Nachgewiesen in: KERIS Theses & Dissertations Sprachen: Korean File Description: application/pdf Degree: 대학원 미세구조반도체, 반도체, Dissertation

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