Ultrathin-Body (UTB) Strained-Si-on-Insulator (sSOI) MOSFET에서 채널두께에 따른 전자이동도 변화

김관수 ; 최철종 ; et al.

In: 한국진공학회 학술발표회초록집 2008-02 2008(2):107-107; Jg. 2008 (2008-02-29) 2, S. 107-107

Konferenz

Titel:	Ultrathin-Body (UTB) Strained-Si-on-Insulator (sSOI) MOSFET에서 채널두께에 따른 전자이동도 변화
Autor/in / Beteiligte Person:	김관수 ; 최철종 ; 정종완 ; 조원주
Link:	https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE01552955
Quelle:	한국진공학회 학술발표회초록집 2008-02 2008(2):107-107; Jg. 2008 (2008-02-29) 2, S. 107-107
Veröffentlichung:	2008
Medientyp:	Konferenz
Sonstiges:	Nachgewiesen in: DBPIA Sprachen: Korean

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